广州联磊科技有限公司

联磊物联网卡参数

符合中国电信,联通,移动物联网卡相关规范

M2M 智能卡是专为M2M领域设计的智能卡产品,不仅具备传统智能卡的功能,还强调更高的安全性和稳定性。可嵌入机器设备,通过移动无线网络实现连接,为客户提供安全的物联网连接服务,满足其对物联网数据采集、远程控制等相关应用的需求。

1 . 物联网专用号段

拥有13位和11位物联网专用号段,充分满足用户批量码号需求。

电信物联网专用号码段移动物联网专用号码段联通物联网专用号码段
号码能力号码能力号码能力
流量短信语音GPRS短信语音流量短信语音
13 位106494G/5G✖13 位144✖13 位106464G/5G✖
4G✖10647✖140024G/5G✖
NB-IoT✖10648✖11 位1454G/5G
141034G/5G✖✖11 位14761464G/5G
141041724     
141084G✖✖1789     
14100NB-IoT✖✖1849     
14101          
11 位1494G/5G          
4G          

2 . 产品规格

产品名称封装类型型号规格操作温度操作系统电气特性ESD 防护
消费级
M2M 卡/物联网卡
插拔卡2FF(SIM 卡)25mm*15mm*0.76mm-25°C to + 85°C支持 2G/3G/4G/5G 网络, 符合中国移动、电信、联 通物联网卡相关标准规范
支持 10 万次数据擦写
支持电压范围: from 1.62V to 5.5V
最大工作电流:< 10 mA @ 5 V;< 6 mA @ 3.3 V;< 4 mA @ 1.98 V
Larger than 4000 V (HBM)
双切卡(2FF 与 3FF)25mm*15mm*0.76mm
三切卡(2FF、3FF 与 4FF)25mm*15mm*0.65mm
贴片卡MFF2(5X6 贴片卡)QFN5*6-8
2X2 贴片卡DFN2*2-8
RSP eSIM 卡MFF2(5X6 贴片卡)QFN5*6-8
工业级
M2M 卡/物联网卡
插拔卡2FF(SIM 卡)25mm*15mm*0.76mm-40°C to + 105°C支持 2G/3G/4G/5G 网络,符合中国移动、电信、联通物 联网卡相关标准规范
支持超长使用寿命(>50 万次数据擦写)
3FF(Micro-SIM 卡)15mm*12mm*0.76mm
贴片卡MFF2(5X6 贴片卡)QFN5*6-8
2X2 贴片卡DFN2*2-8
RSP eSIM 卡MFF2(5X6 贴片卡)QFN5*6-8
车规级贴片卡MFF2(5X6 贴片卡)QFN5*6-8
M2M 卡/物联网卡RSP eSIM 卡MFF2(5X6 贴片卡)QFN5*6-8

3 .  安全特性

支持鉴权算法SIM卡采用COMP128-1算法并支持2009版防克隆算法和索引随机数要求、 USIM卡采 用MILENAGE  算法
支持安全算法DES, 3DES (ECB and CBC mode) ,SHA-1, MD5
安全认证等级EAL4+
支持安全防护Against:
Single power attacks (SPA)
Differential power attacks (DPA)
Fault attacks (FA)

 

4 . 推荐焊接炉温曲线(适用于贴片卡)

图1  模块推荐焊接炉温曲线图(无铅工艺)

5 . 外形规格

5.1 . 插拔卡包括2FF、3FF与4FF,格式与布局应符合ISO7816—1,2标准。

2FF 尺寸:25×15mm

3FF 尺寸:15×12mm

4FF 尺寸:12.3×8.8mm

常用的 2FF/3FF/4FF 卡为 6 脚,管脚定义如上图

5.2  贴片 5*6 mm

QFN5*6-8封装芯片格式与布局

图2 QFN5*6-8封装芯片底视图

图 3 结构尺寸图

注: 内部接头可以是矩形或圆形。

封装管脚和UICC触点对照图见图3。

尺寸参数

参数描述尺寸(mm) 参数描述尺寸(mm)
E封装水平方向长度6,00 ± 0,15D2封装内部散热片垂直长度min 3,90
D封装垂直方向长度5,00 ± 0,15K封装外部管脚与内部散热片最近的距离min 0,20
L封装外部管脚水平方向长度0,60 ± 0,15e封装外部金属管脚的中心线到相邻金属管脚中心线的距离1,27
公差见 bbb 和 ddd
中描述
b封装外部金属管脚的最小垂直距离0,40 ± 0,10bbb中心线公差0,10
E2封装内部散热片水平长度.min 3,30ddd触点间距离公差0,05

封装管脚和 UICC 触点对照图

封装管脚 UICC 触点 描述   封装管脚 UICC 触点 描述
1 C5 GND 7816 接口地 8 C1 VCC 7816 接口电源
2 C6 NC 未占用 7 C2 RESET 7816 接口复位
3 C7 I/O(DATA) 7816 接口输入输出 6 C3 CL0CK 7816 接口时钟
4 C8 NC 未占用 5 C4 NC 未占用
备注: 1. 第2个和第3个管脚同时只有一个为I/O脚。在电路设计时, 如果不明确,可以将这两个管脚直接相连。
2. C4、C8触点是可选的。如果卡提供C4、C8触点但实际未使用,这两个触点在内部可以直接相连。对于C4、C8触点未使用的情况,卡的载带可使用6触点的结构, 其余6个触点的格式与布局遵循5节的要求。
3. 管脚电压范围:-0.3V~+5.5V,使用时严禁超出范围

5.3 贴片 2*2mm

2X2贴片卡采用DFN2*2-8封装,各管脚功能遵照国际规范 102.671 , 5*6 尺寸贴片卡相同

 

2*2mm SMD 卡底视图

图4  2*2mm SMD 详细参数示意图

封装芯片侧视图

 封装底部的方向标:封装底部的方向标志需在 C5 拐角处清晰标示。
封装顶部的方向标:封装顶部方向标与封装底部方向标位于同一位置。
注:上图仅为参数示意图,目的是为了标明各个参数的涵义,2x2mm SMD卡为8管脚, ND取值应为4。详细的尺寸参数见下表

参数参数描述尺寸最小尺寸基准尺寸最大 参数参数描述尺寸最小尺寸基准尺寸最大
值(mm)值(mm)值(mm)值(mm)值(mm)值(mm)
E封装体的水平方向尺寸1.922.1ddd触点之间位置的误差范围。中心区域的值可见上述e的定义0.05
D封装体的垂直方向尺寸1.922.1A卡片厚度,具体见图所示0.750.8
L封装体边缘到接触焊盘的长度0.20.30.45A1具体见图所示00.020.05
b暴露在封装体底部表面接触焊盘镀有金属膜部分(包括铅涂层)的宽度0.180.250.3A3具体见图所示0.2
E2暴露金属热特性(暴露的焊盘)的水平尺寸Min 0.55(ND-1)*e具体见图所示1.5
D2暴露金属热特性(暴露的焊盘)的垂直尺寸Min 1.15aaa具体见图所示0.15
k任意触点与散热片的距离Min 0.2ccc具体见图所示0.1
e相邻触点中心线的距离0.5eee具体见图所示0.08
bbb该误差控制触点格局与水平封装中心线位置。每个触点误差区域的中心由基础维度e与水平封装中心线定义。0.1θ具体见图所示14°

5.4 M2M 2FF

M2M 2FF卡封装形式同普通2FF卡,触点位置及尺寸参考《ETSI TS 102 221 V11.0.0》第4.0.2节, 即 长度为25.00mm±0.10mm,宽度为15.00mm±0.10mm,厚度为0.76mm±0.08mm。M2M Plug-in 卡支持 6PIN 管脚,其物理尺寸和各触点的分布应符合图5要求

1122

图 5 M2M 2FF    (6PIN管脚)结构尺寸图

5.5 M2M 3FF

M2M 3FF 卡封装形式同普通 3FF 卡, 触点位置及尺寸参考《ETSI TS 102 221 V11.0.0》第 4.0.3 节, 即长度为 15.00mm±0.10mm ,宽度为 12.00mm±0.10mm,厚度为 0.76mm±0.08mm。M2M 3FF 支持 6PIN 管脚,其物理尺寸和各触点的分布应符合图 6 要求。

11223

图 6 M2M 3FF  (6PIN管脚)结构尺寸图

5.6 M2M 4FF

M2M 4FF 的触点位置及尺寸参考《ETSI TS 102 221 V11.0.0》第 4.0.4 节, 即长度为 12.30mm±0.10mm, 宽度为 8.80mm±0.10mm,厚度范围为 0.67mm+0.03mm/-0.07mm (0.60mm-0.70mm)。M2M 4FF 支持 6PIN 管脚,物理尺寸和各触点的分布应符合图 7 的要求。

图 7 M2M 4FF  (6PIN)结构尺寸图

5.7 触点定义

未使用的触点区域不应导电,并且应与其他触点区域电隔离,以避免插入接口设备时可能发生的短路问题。

引脚序号

定义

描述

备注

C1

VCC

7816 接口电源

-0.3V~+5.5V,使用时严禁超出范围

C2

RST

7816 接口复位

-0.3V~+5.5V,使用时严禁超出范围

C3

CLK

7816 接口时钟

-0.3V~+5.5V,使用时严禁超出范围

C4

NC

未占用

 

C5

GND

7816 接口地

-0.3V~+5.5V,使用时严禁超出范围

C6

NC

未占用

 

C7

IO

7816 接口输入输出

-0.3V~+5.5V,使用时严禁超出范围

C8

NC

未占用

 

1. C4、C8触点是可选的。如果卡提供C4、C8触点但实际未使用,这两个触点在内部可以直接相连。对于C4、C8触点未使用的情况,卡的载带可使用6触点的结构, 其余6个触点的格式与布局遵循5节的要求。 
2 .C6 触点可用于 Vpp 编程电压或者 SWP。当 C6 触点用于 SWP,遵循 ETSI TS 102.613[11]的要求。

6 . 物理特性参数

所有类型物联网卡电气特性与传输协议相同,区别点在于物理特性,适用于消费级与工业级应用场景。消费级插拔卡、消费级贴片卡、工业级插拔卡、工业级贴片卡与车规级贴片卡物理特性如下。

消费级插拔卡参数表

技术参数描述

消费级插拔卡

工作和存储温度 T1 -25 to +85°C
湿度 H1 在50度温度,相对湿度范围90%~95%,1000小时的条件下,可以保证卡的操作和存储正常。
数据保留时间 R1 10年
擦写次数 E1 10万次
震动 V1 5Hz to 500Hz
抗静电 S1 在卡暴露在2000V的静电环境中,不应降低卡片功能。
附着力 A1 对卡施加60N的拉力并持续1分钟,模块不应从卡上分离,卡的操作和存储正常
抗电磁干扰 M1 在卡暴露在稳定的79500A/m(1000Qe)磁场下,不应降低卡片功能
腐蚀 C1 在5%盐度(NaCl)的环境下存储至少24小时,卡的操作和存储正常
抗X射线 X1 在卡的任何一面每边在受到0.1Gy剂量,相当于70~140KeV中等能量X射线照射时(一年的累计于1.0mm 剂量),不应降低卡片功能
触点与卡基表面偏差 触点最高点不能高于卡表面0.05mm、最低点不能低于卡表面0.1mm
抗紫外线 卡接受总能量为15Ws/cm2的光照射后,卡功能应正常
机械强度 施加10N的力,应保持其功能完好
翘曲 从水平刚性平台到卡任何表面凸起部分应不大于1.0mm
触点位置和尺寸 应符合GB/T 16649-2要求

消费级贴片卡参数表

技术参数描述

消费级贴片卡

工作和存储温度T1 -25 to +85°C
湿度H1 在50度温度,相对湿度范围90%~95%,1000小时的条件下,可以保证卡的操作和存储正常。
湿度/回流焊MX1 符合国际技术规范IPC/JEDEC J-STD-020中的规定:温度260℃(Tc)支持无铅工艺;湿度敏感等级3;无铅装配回流标准曲线级别。
数据保留时间R1 10年
擦写次数E1 10万次
震动V1 5Hz to 500Hz
抗静电S1 在卡暴露在2000V的静电环境中,不应降低卡片功能。
抗电磁干扰M1 在卡暴露在稳定的79500A/m(1000Qe)磁场下,不应降低卡片功能
腐蚀C1 在5%盐度(NaCl)的环境下存储至少24小时,卡的操作和存储正常
抗X射线X1 在卡的任何一面每边在受到0.1Gy剂量,相当于 70~140KeV中等能量X射线照射时(一年的累计剂量),不应降低卡片功能
抗紫外线卡接受总能量为15Ws/cm2的光照射后,卡功能应正常

工业级插拔卡参数表

技术参数描述工业级插拔卡
工作和存储温度T3 -40 to +105°C
湿度H2 在85度温度,相对湿度范围90%~95%,1000小时的条件下,可以保证卡的操作和存储正常。
数据保留时间R2 10年
擦写次数E2 50万次
震动V1 5Hz to 500Hz
抗静电S2 在卡暴露在4000V的静电环境中,不应降低卡片功能。
附着力A1 对卡施加60N的拉力并持续1分钟,模块不应从卡上分离,卡的操作和存储正常
抗电磁干扰M1 在卡暴露在稳定的79500A/m(1000Qe)磁场下,不应降低卡片功能
腐蚀C1 在5%盐度(NaCl)的环境下存储至少24小时,卡的操作和存储正常
抗X射线X1 在卡的任何一面每边在受到0.1Gy剂量,相当于 70~140KeV中等能量X射线照射时(一年的累计剂量),不应降低卡片功能
触点与卡基表面偏差触点最高点不能高于卡表面0.05mm、最低点不能低于卡表面0.1mm
抗紫外线卡接受总能量为15Ws/cm2的光照射后,卡功能应正常
机械强度施加10N的力,应保持其功能完好
翘曲从水平刚性平台到卡任何表面凸起部分应不大于1.0mm
触点位置和尺寸应符合GB/T 16649-2要求

工业级贴片卡参数表

技术参数描述

工业级贴片卡

工作和存储温度T3 -40 to +105°C
湿度H2 在85度温度,相对湿度范围90%~95%,1000小时的条件下,可以保证卡的操作和存储正常。
湿度/回流焊MX1 符合国际技术规范IPC/JEDEC J-STD-020中的规定:温度260℃(Tc)支持无铅工艺,湿度敏感等级3;无铅装配回流标准曲线级别。
数据保留时间R1 10年或R2 15年
擦写次数E2 50万次
震动V1 5Hz to 500Hz
抗静电S2 在卡暴露在4000V的静电环境中,不应降低卡片功能。
抗电磁干扰M1 在卡暴露在稳定的79500A/m(1000Qe)磁场下,不应降低卡片功能
腐蚀C1 在5%盐度(NaCl)的环境下存储至少24小时,卡的操作和存储正常
抗X射线X1 在卡的任何一面每边在受到0.1Gy剂量,相当于 70~140KeV中等能量X射线照射时(一年的累计剂量),不应降低卡片功能
抗紫外线卡接受总能量为15Ws/cm2的光照射后,卡功能应正常

车规级贴片卡参数表(只有MFF2)

技术参数描述

车规级贴片卡

工作和存储温度T3 -40 to +105°C 或T4 -40 to +125°C
湿度H2 在85度温度,相对湿度范围90%~95%,1000小时的条件下,可以保证卡的操作和存储正常。
湿度/回流焊MX1
擦写次数E2 50万次
抗静电卡接受+-4000V的接触放电电压,+-8000V的接触放电电压后,电性能应正常,ATR应正常返回,且电气特性应正常
抗电磁干扰在卡暴露在稳定的79500A/m(1000Qe)磁场下,不应降低卡片功能
腐蚀在2%盐度(NaCl)的环境下存储至少240小时,卡的操作和存储正常
抗X射线在卡的任何一面每边在受到0.1Gy剂量,相当于70~ 140KV中等能量X射线照射时(一年的累计剂量),不应降低卡片功能
抗紫外线卡接受总能量为15Ws/cm2的光照射后,卡功能应正常
数据保留时间R2 15年
震动正旋扫频测试:V3 20Hz to 2000Hz
AEC-Q100认证应符合AEC-Q100认证汽车级产品性能要求并通过相关认证
ISO/TS 16949相关认证应符合ISO/TS 16949要求并通过相关认证